Numéro de pièce interne | RO-SI3447BDV-T1-E3 |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
Séries: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 6A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 1.1W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms: | SI3447BDV-T1-E3TR SI3447BDVT1E3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 12V |
Description détaillée: | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |