Numéro de pièce interne | RO-SG2013J-883B |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.9V @ 600µA, 500mA |
Transistor Type: | 7 NPN Darlington |
Package composant fournisseur: | 16-CDIP |
Séries: | - |
Puissance - Max: | - |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | - |
Autres noms: | 1259-1108 1259-1108-MIL |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition: | - |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 900 @ 500mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | - |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 600mA |
Email: | [email protected] |