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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6010ANX
R6010ANX
R6010ANX
Modèle de produit:
R6010ANX
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
41216 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
R6010ANX.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-R6010ANX
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220FM
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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