MURTA200120
- Modèle de produit:
- MURTA200120
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 82636 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MURTA200120.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MURTA200120 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2.6V @ 100A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V |
| Package composant fournisseur: | Three Tower |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Three Tower |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Configuration diode: | 1 Pair Common Cathode |
| Description détaillée: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 25µA @ 1200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
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