Numéro de pièce interne | RO-MR25H10MDC |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
Tension - Alimentation: | 2.7 V ~ 3.6 V |
La technologie: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Package composant fournisseur: | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Séries: | Automotive, AEC-Q100 |
Emballage: | Tray |
Package / Boîte: | 8-TDFN Exposed Pad |
Autres noms: | 819-1047 MR25H10MDC-ND |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire: | Non-Volatile |
Taille mémoire: | 1Mb (128K x 8) |
Interface mémoire: | SPI |
Format de mémoire: | RAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Fréquence d'horloge: | 40MHz |
Email: | [email protected] |