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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N2904A
JAN2N2904A
Modèle de produit:
JAN2N2904A
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
33352 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN2N2904A.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN2N2904A
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-39 (TO-205AD)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/290
Puissance - Max:800mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Autres noms:1086-20747
1086-20747-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):600mA
Email:[email protected]

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