IRFM220BTF_FP001
- Modèle de produit:
- IRFM220BTF_FP001
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 63292 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.IRFM220BTF_FP001.pdf2.IRFM220BTF_FP001.pdf
introduction
We can supply IRFM220BTF_FP001, use the request quote form to request IRFM220BTF_FP001 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IRFM220BTF_FP001.The price and lead time for IRFM220BTF_FP001 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IRFM220BTF_FP001.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-IRFM220BTF_FP001 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-223-4 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 800 mOhm @ 570mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.4W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| Description détaillée: | N-Channel 200V 1.13A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IRFM220BTF_FP001
Latest Nouvelles
- Onsemi a lancé le premier emballage de péage au monde 650 V en carbure de silicium MOSFET
- Le kit de développement de moteurs d'ON Semiconductor se concentre d'abord sur l'efficacité énergétique
- La plate-forme lidar à temps de vol direct (dToF) de photomultiplicateur au silicium (SiPM) d'ON Semiconductor fournit des conceptions prêtes à l'emploi pour les applications industrielles
- ON Semiconductor et Theta Power Systems International établissent un partenariat pour les applications de contrôle moteur
- ON Semiconductor nomme Hassane El-Khoury au poste de PDG (PDG) successeur