IRFHS8342TRPBF
Modèle de produit:
IRFHS8342TRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
54047 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRFHS8342TRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IRFHS8342TRPBF
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (2x2)
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-VDFN Exposed Pad
Autres noms:IRFHS8342TRPBFCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.7nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8.8A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

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