IRF6608
IRF6608
Modèle de produit:
IRF6608
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
70356 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRF6608.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IRF6608
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DIRECTFET™ ST
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta), 42W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:DirectFET™ Isometric ST
Autres noms:*IRF6608
IRF6608CT
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2120pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

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