FDC021N30
FDC021N30
Modèle de produit:
FDC021N30
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
PT8 N 30V/20V, MOSFET
la quantité en dépôt:
52266 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDC021N30.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-FDC021N30
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SuperSOT™-6
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 6.1A, 10V
Dissipation de puissance (max):700mW (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SOT-23-6
Autres noms:FDC021N30DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10.8nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.1A (Ta)
Email:[email protected]

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