FCP190N65F
- Modèle de produit:
- FCP190N65F
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 43323 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FCP190N65F.pdf
introduction
We can supply FCP190N65F, use the request quote form to request FCP190N65F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FCP190N65F.The price and lead time for FCP190N65F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FCP190N65F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-FCP190N65F |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220-3 |
| Séries: | FRFET®, SuperFET® II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 208W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3225pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FCP190N65F
Latest Nouvelles
- Onsemi a lancé le premier emballage de péage au monde 650 V en carbure de silicium MOSFET
- Le kit de développement de moteurs d'ON Semiconductor se concentre d'abord sur l'efficacité énergétique
- La plate-forme lidar à temps de vol direct (dToF) de photomultiplicateur au silicium (SiPM) d'ON Semiconductor fournit des conceptions prêtes à l'emploi pour les applications industrielles
- ON Semiconductor et Theta Power Systems International établissent un partenariat pour les applications de contrôle moteur
- ON Semiconductor nomme Hassane El-Khoury au poste de PDG (PDG) successeur