Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > EPC2102
EPC2102
EPC2102
Modèle de produit:
EPC2102
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
48864 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2102.pdf
Enquête

introduction

We can supply EPC2102, use the request quote form to request EPC2102 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2102.The price and lead time for EPC2102 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2102.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-EPC2102
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 7mA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-1182-2
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.8nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes EPC2102

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE Enquête
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Enquête
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Enquête
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Enquête
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Enquête
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Enquête
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Enquête
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Enquête
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Enquête
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Enquête
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Enquête
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Enquête
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Enquête
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Enquête
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Enquête
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Enquête
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Enquête
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Enquête
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Enquête
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Enquête

Latest Nouvelles