Numéro de pièce interne | RO-EPC2040ENGRT |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max): | +6V, -4V |
La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Package composant fournisseur: | Die |
Séries: | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 1.5A, 5V |
Dissipation de puissance (max): | - |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | Die |
Autres noms: | 917-1139-1 917-1139-1-ND 917-EPC2040ENGRCT |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 100pF @ 6V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.93nC @ 5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V |
Tension drain-source (Vdss): | 15V |
Description détaillée: | N-Channel 15V 3.4A (Ta) Surface Mount Die |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.4A (Ta) |
Email: | [email protected] |