EMT18T2R
- Modèle de produit:
- EMT18T2R
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS 2PNP 12V 0.5A 6EMT
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 36140 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.EMT18T2R.pdf2.EMT18T2R.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-EMT18T2R |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | EMT6 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 260MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 270 @ 10mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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