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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APT50GP60J
APT50GP60J
APT50GP60J
Modèle de produit:
APT50GP60J
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 100A 329W SOT227
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
43855 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT50GP60J.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-APT50GP60J
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:POWER MOS 7®
Puissance - Max:329W
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:5.7nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:PT
Description détaillée:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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