Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT4012BVR
APT4012BVR
Modèle de produit:
APT4012BVR
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
54256 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT4012BVR.pdf
Enquête

introduction

We can supply APT4012BVR, use the request quote form to request APT4012BVR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT4012BVR.The price and lead time for APT4012BVR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT4012BVR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-APT4012BVR
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247AD
Séries:POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 18.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):370W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:290nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):400V
Description détaillée:N-Channel 400V 37A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AD
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT4012BVR

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT40DC120HJ Image APT40DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 Enquête
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 Enquête
APT40DQ120BG Image APT40DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 Enquête
APT40DQ100BG Image APT40DQ100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 Enquête
APT39F60J Image APT39F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 Enquête
APT38N60SC6 Image APT38N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK Enquête
APT40DC60HJ Image APT40DC60HJ Microsemi RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 Enquête
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 Enquête
APT4065BNG Microsemi MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD Enquête
APT40DQ60BCTG Image APT40DQ60BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 Enquête
APT40DQ100BCTG Image APT40DQ100BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 Enquête
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Enquête
APT38M50J Image APT38M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Enquête
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Enquête
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 Enquête
APT39M60J Image APT39M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 Enquête
APT4012BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Enquête
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Enquête
APT40DQ120BCTG Image APT40DQ120BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 Enquête
APT4016BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V TO-247 Enquête

Latest Nouvelles