Sisäinen osanumero | RO-PBLS2003S,115 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V, 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
transistori tyyppi: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | - |
Vastus - emitteripohja (R2): | 10 kOhms |
Vastus - pohja (R1): | 10 kOhms |
Virta - Max: | 1.5W |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | 568-7231-2 934060279115 PBLS2003S T/R PBLS2003S T/R-ND PBLS2003S,115-ND |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Taajuus - Siirtyminen: | 100MHz |
Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 1µA, 100nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA, 3A |
Perusosan osanumero: | PBLS2003 |
Email: | [email protected] |