NDF04N62ZG
- Osa numero:
- NDF04N62ZG
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 55524 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- NDF04N62ZG.pdf
esittely
We can supply NDF04N62ZG, use the request quote form to request NDF04N62ZG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NDF04N62ZG.The price and lead time for NDF04N62ZG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NDF04N62ZG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-NDF04N62ZG |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220FP |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 28W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
| Muut nimet: | NDF04N62ZG-ND NDF04N62ZGOS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 535pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 620V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 620V 4.4A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220FP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NDF04N62ZG
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)