MJD31C1
- Osa numero:
- MJD31C1
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS NPN 100V 3A IPAK
- RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 60775 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- MJD31C1.pdf
esittely
We can supply MJD31C1, use the request quote form to request MJD31C1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MJD31C1.The price and lead time for MJD31C1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MJD31C1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-MJD31C1 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | I-PAK |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 1.56W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 3MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10 @ 3A, 4V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 3A |
| Perusosan osanumero: | MJD31 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat MJD31C1
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)