Sisäinen osanumero | RO-IPD25N06S4L30ATMA1 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 8µA |
Vgs (Max): | ±16V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3-11 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 29W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPD25N06S4L-30 IPD25N06S4L-30-ND IPD25N06S4L-30TR IPD25N06S4L-30TR-ND IPD25N06S4L30ATMA1TR SP000481508 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1220pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.3nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 60V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |