FJNS3212RBU
- Osa numero:
- FJNS3212RBU
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 37371 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- FJNS3212RBU.pdf
esittely
We can supply FJNS3212RBU, use the request quote form to request FJNS3212RBU pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FJNS3212RBU.The price and lead time for FJNS3212RBU depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FJNS3212RBU.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-FJNS3212RBU |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package: | TO-92S |
| Sarja: | - |
| Vastus - pohja (R1): | 47 kOhms |
| Virta - Max: | 300mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 250MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FJNS3212RBU
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)