FDS4435BZ-F085
- Osa numero:
- FDS4435BZ-F085
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 83788 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- FDS4435BZ-F085.pdf
esittely
We can supply FDS4435BZ-F085, use the request quote form to request FDS4435BZ-F085 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDS4435BZ-F085.The price and lead time for FDS4435BZ-F085 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDS4435BZ-F085.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-FDS4435BZ-F085 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 8.8A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | FDS4435BZ-F085DKR FDS4435BZ_F085DKR FDS4435BZ_F085DKR-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 29 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1845pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDS4435BZ-F085
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)