FDB6021P
- Osa numero:
- FDB6021P
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 40423 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- FDB6021P.pdf
esittely
We can supply FDB6021P, use the request quote form to request FDB6021P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDB6021P.The price and lead time for FDB6021P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDB6021P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-FDB6021P |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263AB |
| Sarja: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 14A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 37W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1890pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 20V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 28A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDB6021P
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)