Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - IGBTs - Single > APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
Osa numero:
APT68GA60B2D40
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
IGBT 600V 121A 520W TO-247
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
67479 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
APT68GA60B2D40.pdf
tiedustelu

esittely

We can supply APT68GA60B2D40, use the request quote form to request APT68GA60B2D40 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT68GA60B2D40.The price and lead time for APT68GA60B2D40 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT68GA60B2D40.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-APT68GA60B2D40
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 40A
Testaa kunto:400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (päällä / pois) @ 25 ° C:21ns/133ns
Switching Energy:715µJ (on), 607µJ (off)
Sarja:POWER MOS 8™
Virta - Max:520W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3 Variant
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:29 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Syötetyyppi:Standard
IGBT Tyyppi:PT
Gate Charge:198nC
Yksityiskohtainen kuvaus:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
Nykyinen - Collector Pulssi (ICM):202A
Nykyinen - Collector (le) (Max):121A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat APT68GA60B2D40

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 tiedustelu
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 tiedustelu
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 tiedustelu
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 tiedustelu
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 tiedustelu
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 tiedustelu
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 tiedustelu
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX tiedustelu
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 tiedustelu
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 tiedustelu
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 tiedustelu
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 tiedustelu
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 tiedustelu
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 tiedustelu
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO tiedustelu
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC tiedustelu
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX tiedustelu
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 tiedustelu
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO tiedustelu
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 tiedustelu

Latest News