Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - IGBTs - Single > APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G
Osa numero:
APT33GF120B2RDQ2G
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
60736 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf
tiedustelu

esittely

We can supply APT33GF120B2RDQ2G, use the request quote form to request APT33GF120B2RDQ2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT33GF120B2RDQ2G.The price and lead time for APT33GF120B2RDQ2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT33GF120B2RDQ2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-APT33GF120B2RDQ2G
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:3V @ 15V, 25A
Testaa kunto:800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Td (päällä / pois) @ 25 ° C:14ns/185ns
Switching Energy:1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
Sarja:-
Virta - Max:357W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3 Variant
Muut nimet:APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Syötetyyppi:Standard
IGBT Tyyppi:NPT
Gate Charge:170nC
Yksityiskohtainen kuvaus:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
Nykyinen - Collector Pulssi (ICM):75A
Nykyinen - Collector (le) (Max):64A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat APT33GF120B2RDQ2G

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
APT33N90JCCU2 Image APT33N90JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 tiedustelu
APT33N90JCU3 Image APT33N90JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 tiedustelu
APT32F120J Image APT32F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 tiedustelu
APT34F60B Image APT34F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 tiedustelu
APT33N90JCU2 Image APT33N90JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 tiedustelu
APT34F100L Image APT34F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 tiedustelu
APT3216SURCK Image APT3216SURCK Kingbright LED RED CLEAR CHIP SMD tiedustelu
APT3216ZGC Image APT3216ZGC Kingbright LED GREEN CLEAR CHIP SMD tiedustelu
APT3216VBC/D Image APT3216VBC/D Kingbright LED BLUE CLEAR CHIP SMD tiedustelu
APT3216SYCK/J3-PRV Image APT3216SYCK/J3-PRV Kingbright LED YELLOW CLEAR 1206 SMD tiedustelu
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 tiedustelu
APT3216SYCK Image APT3216SYCK Kingbright LED YELLOW CLEAR CHIP SMD tiedustelu
APT32M80J Image APT32M80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 tiedustelu
APT3216ZGCK Image APT3216ZGCK Kingbright LED GREEN CLEAR CHIP SMD tiedustelu
APT33GF120LRDQ2G Image APT33GF120LRDQ2G Microsemi IGBT 1200V 64A 357W TO264 tiedustelu
APT3216SRCPRV Image APT3216SRCPRV Kingbright LED RED CLEAR CHIP SMD tiedustelu
APT33N90JCCU3 Image APT33N90JCCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 tiedustelu
APT34F100B2 Image APT34F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX tiedustelu
APT3216YC Image APT3216YC Kingbright LED YELLOW CLEAR CHIP SMD tiedustelu
APT33GF120BRG Image APT33GF120BRG Microsemi IGBT 1200V 52A 297W TO247 tiedustelu

Latest News