Imagen |
Número de pieza |
Fabricantes |
Descripción |
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TH58NVG2S3HTA00 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58NVG4S0FTA20 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58BVG2S3HTAI0 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58BYG2S3HBAI4 |
Toshiba Memory America, Inc. |
4G SLC NAND BGA 24NM |
Investigación |
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TH58BVG2S3HTA00 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58NVG3S0HBAI4 |
Toshiba Memory America, Inc. |
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V |
Investigación |
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TH58NYG2S3HBAI4 |
Toshiba Memory America, Inc. |
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V |
Investigación |
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TH58NVG5S0FTAK0 |
Toshiba Memory America, Inc. |
32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM |
Investigación |
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TH58NVG4S0HTA20 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58BYG3S0HBAI6 |
Toshiba Memory America, Inc. |
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V |
Investigación |
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TH58BVG3S0HTAI0 |
Toshiba Memory America, Inc. |
8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE |
Investigación |
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TH58NVG3S0HTA00 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH5E106K021A1000 |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
CAP TANT 10UF 21V 10% 2917 |
Investigación |
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TH58BVG3S0HTA00 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58NVG5S0FTA20 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58NVG4S0HTAK0 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58BVG2S3HBAI4 |
Toshiba Memory America, Inc. |
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE |
Investigación |
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TH58NYG3S0HBAI6 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA |
Investigación |
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TH58NVG2S3HTAI0 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I |
Investigación |
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TH58BYG2S3HBAI6 |
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
Investigación |