SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3
Número de pieza:
SUG90090E-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
64926 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SUG90090E-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-SUG90090E-GE3
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AC
Serie:ThunderFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:9.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):395W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:SUG90090E-GE3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5220pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:129nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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