RF101LAM2STR
- Número de pieza:
- RF101LAM2STR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 1A PMDTM
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 59293 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.RF101LAM2STR.pdf2.RF101LAM2STR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-RF101LAM2STR |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 870mV @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 200V |
| Paquete del dispositivo: | PMDTM |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 25ns |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOD-128 |
| Otros nombres: | RF101LAM2SCT |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDTM |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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