NTD4860N-35G
- Número de pieza:
- NTD4860N-35G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 77993 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NTD4860N-35G.pdf
Introducción
We can supply NTD4860N-35G, use the request quote form to request NTD4860N-35G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTD4860N-35G.The price and lead time for NTD4860N-35G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTD4860N-35G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-NTD4860N-35G |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-PAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.28W (Ta), 50W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1308pF @ 12V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción detallada: | N-Channel 25V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.4A (Ta), 65A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTD4860N-35G
Latest Noticias
- Onsemi lanzó el primer empaque de peaje del mundo 650 V Silicon Carbide MOSFET
- El kit de desarrollo de motores de ON Semiconductor se centra primero en la eficiencia energética
- La plataforma lidar de fotomultiplicador de silicio (SiPM) de tiempo de vuelo directo (dToF) de ON Semiconductor proporciona diseños listos para usar para aplicaciones de rango industrial
- ON Semiconductor y Theta Power Systems International establecen una asociación para aplicaciones de control de motores
- ON Semiconductor nombra a Hassane El-Khoury como consejero delegado sucesor (CEO)