Número de parte interno | RO-MR2A16AVYS35 |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 35ns |
Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Paquete del dispositivo: | 44-TSOP2 |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Otros nombres: | 819-1012 MR2A16AVYS35-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria: | 4Mb (256K x 16) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | RAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 35ns 44-TSOP2 |
Tiempo de acceso: | 35ns |
Email: | [email protected] |