Número de parte interno | RO-MB85R1001ANC-GE1 |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 150ns |
Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Paquete del dispositivo: | 48-TSOP |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
Otros nombres: | 865-1168 MB85R1001ANCGE1 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tipo de memoria: | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria: | 1Mb (128K x 8) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | FRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 150ns 48-TSOP |
Tiempo de acceso: | 150ns |
Email: | [email protected] |