FFSH2065BDN-F085
- Número de pieza:
- FFSH2065BDN-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- 650V 20A SIC SBD GEN1.5
- Cantidad en inventario:
- 54361 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- FFSH2065BDN-F085.pdf
Introducción
We can supply FFSH2065BDN-F085, use the request quote form to request FFSH2065BDN-F085 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FFSH2065BDN-F085.The price and lead time for FFSH2065BDN-F085 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FFSH2065BDN-F085.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-FFSH2065BDN-F085 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 10A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-247-3 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 40µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 421pF @ 1V, 100kHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FFSH2065BDN-F085
Latest Noticias
- Onsemi lanzó el primer empaque de peaje del mundo 650 V Silicon Carbide MOSFET
- El kit de desarrollo de motores de ON Semiconductor se centra primero en la eficiencia energética
- La plataforma lidar de fotomultiplicador de silicio (SiPM) de tiempo de vuelo directo (dToF) de ON Semiconductor proporciona diseños listos para usar para aplicaciones de rango industrial
- ON Semiconductor y Theta Power Systems International establecen una asociación para aplicaciones de control de motores
- ON Semiconductor nombra a Hassane El-Khoury como consejero delegado sucesor (CEO)