FFSD1065A
- Número de pieza:
- FFSD1065A
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- 650V 10A SIC SBD
- Cantidad en inventario:
- 48598 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- FFSD1065A.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-FFSD1065A |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.75V @ 10A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | D-PAK (TO-252) |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | FFSD1065A-ND FFSD1065AOSTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 42 Weeks |
| Estado sin plomo: | Lead free |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 18A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 200µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 18A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 575pF @ 1V, 100kHz |
| Email: | [email protected] |
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