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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
Número de pieza:
EPC2106ENGRT
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
67343 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
EPC2106ENGRT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-EPC2106ENGRT
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 600µA
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 5V
Potencia - Max:-
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2106ENGRDKR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:75pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.73nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

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