español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APT38M50J
APT38M50J
APT38M50J
Número de pieza:
APT38M50J
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
86168 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.APT38M50J.pdf2.APT38M50J.pdf
Investigación

Introducción

We can supply APT38M50J, use the request quote form to request APT38M50J pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT38M50J.The price and lead time for APT38M50J depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT38M50J.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Número de parte interno RO-APT38M50J
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo):357W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres:APT38M50JMP
APT38M50JMP-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:N-Channel 500V 38A (Tc) 357W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de APT38M50J

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
APT38N60SC6 Image APT38N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK Investigación
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 Investigación
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK Investigación
APT40DC60HJ Image APT40DC60HJ Microsemi RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 Investigación
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Investigación
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 Investigación
APT4016BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V TO-247 Investigación
APT4065BNG Microsemi MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD Investigación
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 Investigación
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 Investigación
APT4012BVR Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Investigación
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Investigación
APT4012BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD Investigación
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Investigación
APT39M60J Image APT39M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 Investigación
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 Investigación
APT40DC120HJ Image APT40DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 Investigación
APT39F60J Image APT39F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 Investigación
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Investigación
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 Investigación

Latest Noticias