Número de parte interno | RO-6116LA20SOG8 |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 20ns |
Suministro de voltaje: | 4.5 V ~ 5.5 V |
Tecnología: | SRAM - Asynchronous |
Paquete del dispositivo: | 24-SOIC |
Serie: | - |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Otros nombres: | IDT6116LA20SOG8 IDT6116LA20SOG8-ND |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 16Kb (2K x 8) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | SRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 20ns 24-SOIC |
Número de pieza base: | IDT6116 |
Tiempo de acceso: | 20ns |
Email: | [email protected] |