W987D2HBJX6E TR
W987D2HBJX6E TR
Artikelnummer:
W987D2HBJX6E TR
Hersteller:
Winbond Electronics Corporation
Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
81646 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
W987D2HBJX6E TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-W987D2HBJX6E TR
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:SDRAM - Mobile LPSDR
Supplier Device-Gehäuse:90-VFBGA (8x13)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:90-TFBGA
Andere Namen:W987D2HBJX6E TR-ND
W987D2HBJX6ETR
Betriebstemperatur:-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Uhrfrequenz:166MHz
Zugriffszeit:5.4ns
Email:[email protected]

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