TPH12008NH,L1Q
- Artikelnummer:
- TPH12008NH,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N CH 80V 24A SOP
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 72983 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TPH12008NH,L1Q.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-TPH12008NH,L1Q |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 300µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.3 mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.6W (Ta), 48W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NHL1Q TPH12008NHL1QTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 80V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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