TPC8A06-H(TE12LQM)
- Artikelnummer:
- TPC8A06-H(TE12LQM)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 81117 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TPC8A06-H(TE12LQM).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-TPC8A06-H(TE12LQM) |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.1 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max): | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Andere Namen: | TPC8A06HTE12LQM |
| Betriebstemperatur: | - |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Schottky Diode (Body) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 12A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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