TK18E10K3,S1X(S
- Artikelnummer:
- TK18E10K3,S1X(S
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 82868 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TK18E10K3,S1X(S.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-TK18E10K3,S1X(S |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220-3 |
| Serie: | U-MOSIV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max): | - |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | TK18E10K3S1X(S TK18E10K3S1XS |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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