TJ10S04M3L(T6L1,NQ
- Artikelnummer:
- TJ10S04M3L(T6L1,NQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 51262 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max): | +10V, -20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK+ |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 44 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 27W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | TJ10S04M3L(T6L1NQ TJ10S04M3LT6L1NQ |
| Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 930pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 40V 10A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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