SSM6P16FE(TE85L,F)
- Artikelnummer:
- SSM6P16FE(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 63752 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SSM6P16FE(TE85L,F).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SSM6P16FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 |
| Serie: | π-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Verlustleistung (max): | 150mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6P16FE(TE85LF)CT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 3V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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