Interne Teilenummer | RO-PSMN4R0-30YLDX |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie: | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max): | 64W (Tc) |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
Andere Namen: | 1727-1232-1 568-10433-1 568-10433-1-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1272pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.4nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 95A (Tc) 64W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 95A (Tc) |
Email: | [email protected] |