PMDPB56XN,115
- Artikelnummer:
- PMDPB56XN,115
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 56281 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PMDPB56XN,115.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-PMDPB56XN,115 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | DFN2020-6 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Leistung - max: | 510mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | 568-10760-2 934066487115 PMDPB56XN,115-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.9nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 510mW Surface Mount DFN2020-6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.1A |
| Email: | [email protected] |
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