Interne Teilenummer | RO-MT49H32M9FM-25 TR |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologie: | DRAM |
Supplier Device-Gehäuse: | 144-µBGA (18.5x11) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 144-TFBGA |
Andere Namen: | MT49H32M9FM-25 TR-ND MT49H32M9FM-25TR |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 288Mb (32M x 9) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | DRAM Memory IC 288Mb (32M x 9) Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA (18.5x11) |
Uhrfrequenz: | 400MHz |
Basisteilenummer: | MT49H32M9 |
Zugriffszeit: | 20ns |
Email: | [email protected] |