Interne Teilenummer | RO-MR4A16BYS35 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 35ns |
Spannungsversorgung: | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Supplier Device-Gehäuse: | 54-TSOP2 |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen: | 819-1054 MR4A16BYS35-ND |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 16Mb (1M x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | RAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 35ns 54-TSOP2 |
Zugriffszeit: | 35ns |
Email: | [email protected] |