JANTX2N3019/TR
- Artikelnummer:
- JANTX2N3019/TR
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- SMALL-SIGNAL BJT
- RoHS-Status:
- RoHS nicht konform
- Menge auf Lager:
- 33839 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- JANTX2N3019/TR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-JANTX2N3019/TR |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 80V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-5 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/391 |
| RoHS-Status: | RoHS non-compliant |
| Leistung - max: | 800mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 150mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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