Interne Teilenummer | RO-IRF6609TR1 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.45V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET™ MT |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 mOhm @ 31A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric MT |
Andere Namen: | SP001529252 |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6290pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 4.5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 31A (Ta), 150A (Tc) |
Email: | [email protected] |