Interne Teilenummer | RO-IPB065N03LGATMA1 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263AB) |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max): | 56W (Tc) |
Verpackung: | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen: | IPB065N03LGATMA1DKR IPB065N03LGINDKR IPB065N03LGINDKR-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |