Interne Teilenummer | RO-IDT6116LA35TP |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 35ns |
Spannungsversorgung: | 4.5 V ~ 5.5 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 24-PDIP |
Serie: | - |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | 24-DIP (0.300", 7.62mm) |
Andere Namen: | 6116LA35TP |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 16Kb (2K x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 35ns 24-PDIP |
Basisteilenummer: | IDT6116 |
Zugriffszeit: | 35ns |
Email: | [email protected] |